| 核心参数 | |
| 核心频率 | 1110 MHz |
|---|---|
| Turbo频率 | 1545 MHz |
| 核心架构 | Ampere |
| 制作工艺 | 8 nm |
| L1 Cache | 128 KB (每SM) |
| L2 Cache | 4 MB |
| 单元参数 | |
| Shading Units | 6144 |
|---|---|
| TMUs | 192 |
| ROPs | 96 |
| SM Count | 48 |
| Tensor Cores | 192 |
| RT Cores | 48 |
| 显存参数 | |
| 显存大小 | 8 GB / 16 GB |
|---|---|
| 显存频率 | 1750 MHz 14 Gbps |
| 显存类型 | GDDR6 |
| 显存位宽 | 256 bit |
| 显存带宽 | 448 GB/s |
| 理论性能 |
| 显卡参数 |
| 图形功能 |
| 公版规格 | |
| TDP | 115 W |
|---|---|
| 晶圆参数 | |
| 核心代号 | GA104 |
|---|---|
| 晶圆编号 | GA104-775-A1 |
| 晶圆面积 | 392 mm² |
| 生成厂家 | Samsung |
| 晶体管数量 | 174亿 |
| 晶体管密度 | 0.444亿/mm² |
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