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核心参数
核心频率1110 MHz
Turbo频率1560 MHz
核心架构Ampere
制作工艺8 nm
L1 Cache128 KB (每SM)
L2 Cache4 MB
单元参数
Shading Units5120
TMUs160
ROPs80
SM Count40
Tensor Cores160
RT Cores40
显存参数
显存大小8 GB / 16 GB
显存频率1750 MHz
14 Gbps
显存类型GDDR6
显存位宽256 bit
显存带宽448.0 GB/s
理论性能
显卡参数
图形功能
公版规格
TDP115 W
晶圆参数
核心代号GA104
晶圆面积392 mm²
生成厂家Samsung
晶体管数量174亿
晶体管密度0.444亿/mm²