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核心参数
核心频率975 MHz
Turbo频率1395 MHz
核心架构Ampere
制作工艺8 nm
L1 Cache128 KB (每SM)
L2 Cache4 MB
单元参数
Shading Units7424
TMUs232
ROPs96
SM Count58
Tensor Cores232
RT Cores58
显存参数
显存大小16 GB
显存频率2000 MHz
16 Gbps
显存类型GDDR6
显存位宽256 bit
显存带宽512.0 GB/s
理论性能
显卡参数
图形功能
公版规格
TDP115 W
晶圆参数
核心代号GA103
晶圆编号GN20-E8-A1
晶圆面积496 mm²
生成厂家Samsung
晶体管数量220亿
晶体管密度0.444亿/mm²